HTCC和LTCC，你分得清嗎？

隨著功率器件特別是第三代半導體器件的興起和應用，半導體器件正逐步向大功率、小型化、集成化和多功能方向發展，這對封裝基板的性能也提出了更高的要求。陶瓷基板因其導熱系數高、耐熱性好、熱膨脹系數低、機械強度高、絕緣性好、耐腐蝕、耐輻射等優點，在電子器件封裝中得到廣泛應用。

 
共燒多層陶瓷基板可以同時制作電極材料、基板、電子器件等，實現高集成度，在大功率器件封裝中得到廣泛應用。
共燒多層陶瓷基板是由多個單一陶瓷基板經層壓、熱壓、脫膠、燒結等工藝制成。由于可以制造更多的層，布線密度更高，可以盡可能縮短互連長度，并且可以提高組裝密度和信號傳輸速度。因此，它能適應電子機械對電路小型化、高密度、多功能、高可靠性、高可靠性和高可靠性、高速度、大功率的要求。
 
依據制備工藝中溫度的差別，可將共燒陶瓷基板分為高溫共燒陶瓷(High-temperatureco-fired ceramic，HTCC)多層基板和低溫共燒陶瓷(Low-temperatureco-fired ceramic，LTCC)多層基板。

 
那么這兩種技術之間的區別在哪呢？
其實，兩者的生產工藝基本相同，都需要經過漿料制備、流延、坯體干燥、鉆孔、絲網印刷填充孔、絲網印刷電路、層壓燒結、最后切片的制備過程。而HTCC技術是一種燒結溫度高于1000℃的共燒技術℃. 通常在900時進行℃ 1650～1850燒結℃. 與HTCC相比，LTCC的燒結溫度較低，一般低于950℃℃. 高溫陶瓷具有燒結溫度高、能耗大、金屬導體材料有限等缺點，推動了低溫陶瓷工藝的發展。

 
燒結溫度的差異首先影響材料的選擇，然后影響產品的性能，從而導致兩種產品適用于不同的應用方向。
HTCC基板由于燒結溫度高，不能使用金、銀、銅等低熔點金屬材料，必須使用鎢、鉬、錳等難熔金屬材料，制造成本高，導電率低，會造成信號延遲等缺陷，因此不適合于高速或高頻的微組裝電路基板。但由于材料的燒結溫度較高，具有較高的機械強度、導熱性和化學穩定性。同時具有材料來源廣、成本低、布線密度高等優點。HTCC基板在大功率封裝領域具有更大的優勢，對其熱穩定性、機械強度、導熱性、密封性和可靠性提出了更高的要求。
LTCC基板通過在陶瓷漿料中加入非晶玻璃、晶態玻璃、低熔點氧化物等材料來降低燒結溫度。金、銀、銅等導電率高、熔點低的金屬可以作為導體材料，不僅可以降低成本，而且可以獲得良好的性能。微晶玻璃具有介電常數低、高頻損耗小等優點，非常適合用于射頻、微波和毫米波器件。但由于陶瓷漿料中加入了玻璃材料，基板的導熱系數低，燒結溫度低，因此基板的機械強度不如HTCC基板。
因此，HTCC與LTCC的區別仍然是性能變化的情況，各有優缺點。必須根據具體應用條件選擇合適的產品。
低溫共燒陶瓷與高溫共燒陶瓷的差異

總之，HTCC基板以其成熟的工藝和廉價的介電材料將在電子封裝中長期發揮重要作用。然而，隨著材料的不斷改進、工藝控制的提高和技術的成熟，LTCC的天然優勢將更加突出，更加適應高頻、高速、大功率的發展趨勢。然而，各種基底材料各有優缺點。由于具體應用電路的要求不同，對基板材料的性能要求也不同。因此，各種基底材料將長期共同存在和發展。